上海市科學(xué)技術(shù)委員會關(guān)于發(fā)布2025年度基礎(chǔ)研究計(jì)劃“集成電路”（第二批）項(xiàng)目申報(bào)指南的通知
滬科指南〔2025〕25號
各有關(guān)單位：
為深入實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，加快建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心，根據(jù)《上海市建設(shè)具有全球影響力的科技創(chuàng)新中心“十四五”規(guī)劃》，特發(fā)布2025年度基礎(chǔ)研究計(jì)劃“集成電路”（第二批）項(xiàng)目申報(bào)指南。
一、征集范圍
專題一、硅基光電子
方向1：全硅集成光I/O研究
研究目標(biāo)：面向智算中心對高密度光I/O的需求，開展高傳輸速率下全硅基光I/O收發(fā)一體研究，實(shí)現(xiàn)O波段硅探測器帶寬40GHz時(shí)響應(yīng)度≥0.5A/W，增益帶寬積≥300GHz；全硅收發(fā)集成光I/O單通道鏈路傳輸速率≥112Gbps。
研究內(nèi)容：研究硅中缺陷態(tài)吸收、光子輔助隧穿效應(yīng)等機(jī)制，提高全硅探測器的光電轉(zhuǎn)換效率與響應(yīng)速度；探索微環(huán)諧振腔中的雙光子效應(yīng)，建立多物理場下微環(huán)調(diào)制器的響應(yīng)模型；實(shí)現(xiàn)收發(fā)一體集成芯片，并進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳輸驗(yàn)證。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向2：可見-通信光互連研究
研究目標(biāo)：面向混合量子網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)互連的需求，開展具備頻率轉(zhuǎn)換功能的光互連集成研究，實(shí)現(xiàn)可見光和通信波段的高效片上轉(zhuǎn)換，通信光至可見光波段歸一化轉(zhuǎn)換效率≥10%/μW，片上量子轉(zhuǎn)換效率≥75%，噪聲光子數(shù)≤0.1MHz。
研究內(nèi)容：探索跨波段量子信息傳輸中的多非線性協(xié)同效應(yīng)，優(yōu)化單光子非線性耦合強(qiáng)度，調(diào)控不同波段間的光子轉(zhuǎn)換效率；優(yōu)化光子芯片設(shè)計(jì)方法，實(shí)現(xiàn)跨波段的低損耗光波導(dǎo)；設(shè)計(jì)并制備低噪聲、高效率的頻率轉(zhuǎn)換芯片，探索應(yīng)用路徑。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向3：片上多維復(fù)用光子信號處理研究
研究目標(biāo)：面向高速互連通信需求，開展片上光子多維復(fù)用重構(gòu)的信號處理研究，實(shí)現(xiàn)高速大帶寬的并行可重構(gòu)信號接收與處理，并行重構(gòu)通道數(shù)≥16，總采樣率≥80GSa/s，模擬帶寬≥40GHz，包含2種以上重構(gòu)功能。
研究內(nèi)容：發(fā)展光子多維信號互作用理論，研究多維復(fù)用的時(shí)間序列信號重構(gòu)方法，完成高速信號接收與處理架構(gòu)設(shè)計(jì)；研究光學(xué)采樣保持、多功能陣列化重構(gòu)、寬帶陣列均衡校準(zhǔn)等內(nèi)容；實(shí)現(xiàn)光子多維復(fù)用的高速信號接收與處理系統(tǒng)。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向4：高性能片上光放大機(jī)制研究
研究目標(biāo)：面向相干通信、光傳感、光交換等方向?qū)夥糯蟮钠惹行枨螅_展C和L波段低噪聲寬帶片上光放大機(jī)制研究，實(shí)現(xiàn)功率凈增益>25dB，C和L波段5dB/cm放大增益帶寬>50nm，噪聲系數(shù)NF<4dB，摻雜后波導(dǎo)損耗<0.2dB/cm的片上光放大器。
研究內(nèi)容：構(gòu)建多因素耦合影響的光波導(dǎo)放大理論模型，探索高濃度共摻和長發(fā)光壽命的實(shí)現(xiàn)方法，闡明上轉(zhuǎn)換發(fā)光的抑制機(jī)制；研究波導(dǎo)截面折射率工程，建立光場分布與增益效率的調(diào)控模型；優(yōu)化光波導(dǎo)放大器制備方法，實(shí)現(xiàn)高功率、大帶寬的片上放大輸出。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向5：高維多通道光子伊辛加速研究
研究目標(biāo)：面向人工智能與組合優(yōu)化問題的應(yīng)用需求，開展新型光子伊辛加速研究，構(gòu)建高維多通道光子伊辛加速原理樣機(jī)。要求最大自旋規(guī)模≥50萬，哈密頓量計(jì)算精度≤1%；最大通道數(shù)≥50，相對能耗增量≤50%。
研究內(nèi)容：探索伊辛自旋規(guī)模拓展機(jī)制，研究哈密頓量計(jì)算精度提升方法；探索光子伊辛體系高維復(fù)用方法，研究多通道、高動(dòng)態(tài)范圍哈密頓量的光電探測；結(jié)合高速電子控制反饋，完成典型NP問題映射伊辛模型的快速求解。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向6：面向大規(guī)模生成智能的全光智能處理研究
研究目標(biāo)：針對大規(guī)模生成智能任務(wù)對算力的迫切需求，開展面向大規(guī)模生成式神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的全光智能處理研究，構(gòu)建全光分辨率>400×400的視頻生成與3D重建的光芯片樣片。要求片上集成光學(xué)神經(jīng)元數(shù)>200萬；芯片端到端（含光源、輸入、探測等）實(shí)測算力＞200Exa-OPS；生成圖像峰值信噪比實(shí)測達(dá)到Diffusion等頂尖數(shù)字深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)水平；實(shí)現(xiàn)大模型的顯著加速。
研究內(nèi)容：研究生成式任務(wù)的本征特征，揭示生成式智能任務(wù)的光場特性，構(gòu)建特征映射的物理模型和訓(xùn)練算法；建立異質(zhì)異構(gòu)集成的光場通路模型，實(shí)現(xiàn)百萬量級光學(xué)神經(jīng)元的片上集成封裝；實(shí)現(xiàn)面向大規(guī)模生成式任務(wù)的光計(jì)算芯片構(gòu)建、流片和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向7：幾何相位硅光集成方法研究
研究目標(biāo)：聚焦集成光計(jì)算系統(tǒng)的帶寬、高魯棒性和可重構(gòu)等問題，突破傳統(tǒng)硅光集成器件動(dòng)力學(xué)相位中波長敏感性和高制造精度限制，開展非阿貝爾幾何相位硅光集成方法研究。要求工作帶寬≥100nm，幾何相位階數(shù)≥6階，保真度>0.95；基于硅光-相變材料集成實(shí)現(xiàn)高階幾何相位SO(3) 的非易失動(dòng)態(tài)可調(diào)控種類位數(shù)≥3bit。
研究內(nèi)容：研究硅光集成非阿貝爾幾何相位操控，建立幾何相位的解析模型，闡明幾何相位硅光集成器件的高寬帶性和高魯棒性機(jī)理；研究與硅光后道工藝兼容的硅光-相變材料集成方法，開展幾何相位非易失動(dòng)態(tài)可調(diào)控的功能驗(yàn)證。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向8：超低光子功耗硅基光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)計(jì)算研究
研究目標(biāo)：面向邊緣智能計(jì)算設(shè)備的低能耗、強(qiáng)抗噪需求，開展可編程硅基光子計(jì)算線路與光電融合原位訓(xùn)練架構(gòu)研究，實(shí)現(xiàn)具備亞光子級操作能耗與噪聲自適應(yīng)能力的硅基光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片。要求基于多光子關(guān)聯(lián)的單次權(quán)重乘加操作光子消耗量<0.05個(gè)光子；片上原位訓(xùn)練容忍噪聲信噪比≤5dB；非線性特征空間擬合誤差<10%。
研究內(nèi)容：探索可重構(gòu)光網(wǎng)絡(luò)中光子數(shù)態(tài)的關(guān)聯(lián)演化規(guī)律，開發(fā)融合時(shí)序光子統(tǒng)計(jì)測量與數(shù)字反饋的原位訓(xùn)練機(jī)制，構(gòu)建多光子關(guān)聯(lián)特性與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)特征空間的非線性映射模型。集成高純度片上光子源陣列與可編程多模干涉結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)具備亞光子級功耗和非線性處理能力的光神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片，驗(yàn)證面向邊緣智能場景的超低功耗光計(jì)算能力。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向9：基于硅光工藝的大規(guī)模光量子糾纏研究
研究目標(biāo)：面向光量子計(jì)算可擴(kuò)展性的發(fā)展需求，開展基于硅光工藝的大規(guī)模光量子糾纏制備與調(diào)控研究，實(shí)現(xiàn)片上最大壓縮度≥8dB、量子比特≥50的大規(guī)模復(fù)雜糾纏態(tài)。
研究內(nèi)容：開展基于集成光量子平臺的大規(guī)模連續(xù)變量簇態(tài)糾纏機(jī)理研究，研究糾纏態(tài)測量效率的影響因素，探索高魯棒性重構(gòu)的新原理與新方法；研制高非線性、低損耗的量子壓縮光源和可編程線性光學(xué)網(wǎng)絡(luò)，探索其在量子計(jì)算、量子隱形傳態(tài)等領(lǐng)域的可擴(kuò)展方案。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向10：片上超連續(xù)譜光源及其精準(zhǔn)調(diào)控研究
研究目標(biāo)：面向光譜學(xué)和光學(xué)計(jì)量對片上超寬帶光源的需求，突破光波導(dǎo)整體色散和局部色散無法兼顧的難題，實(shí)現(xiàn)片上集成高性能超連續(xù)譜光源，光譜覆蓋可見光至中紅外，跨度超過3個(gè)光學(xué)倍頻程，同時(shí)實(shí)現(xiàn)局部光譜精準(zhǔn)調(diào)控，功率提升>10dB。
研究內(nèi)容：探索高維波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的色散調(diào)控方法，研究波導(dǎo)整體與局部色散對超連續(xù)譜產(chǎn)生的調(diào)控機(jī)理；完成超連續(xù)譜光源芯片的設(shè)計(jì)和制備，實(shí)現(xiàn)超寬光譜覆蓋，并在原子吸收波長及中紅外波長處實(shí)現(xiàn)光譜局部增強(qiáng)；基于片上超連續(xù)譜光源，開展光譜學(xué)、光學(xué)計(jì)量等領(lǐng)域的應(yīng)用演示。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向11：硅基垂直集成光子調(diào)控研究
研究目標(biāo)：面向自由空間光通信、生物醫(yī)學(xué)成像等領(lǐng)域?qū)V角和高偏振分辨探測的需求，研究垂直集成的卷曲納米薄膜結(jié)構(gòu)光子器件調(diào)控方法，實(shí)現(xiàn)2英寸晶圓級垂直集成光子器件陣列，器件集成密度≥10000個(gè)/cm2；光探測器正交偏振態(tài)間消光比≥12 dB；探測器視場角≥140°，角分辨率≤10°。
研究內(nèi)容：探索硅基垂直集成光子器件的光調(diào)制與耦合理論，開發(fā)數(shù)值計(jì)算方法研究卷曲納米薄膜光子器件中的光子調(diào)控；優(yōu)化器件制備工藝，實(shí)現(xiàn)晶圓級高良率垂直集成光子器件的設(shè)計(jì)制備；研究基于垂直集成光子器件的多維光信息探測及調(diào)制方法，實(shí)現(xiàn)廣角和高偏振分辨的硅基垂直集成光探測器。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
專題二、寬禁帶與超寬禁帶半導(dǎo)體
方向1：氮化鎵單晶高溫高壓生長過程與反應(yīng)釜損傷監(jiān)測研究
研究目標(biāo)：面向氨熱制備氮化鎵單晶的品質(zhì)與安全需求，開展單晶生長過程物化行為和反應(yīng)釜損傷演變監(jiān)測研究，實(shí)現(xiàn)釜內(nèi)溫度(400～650℃)-壓力(80～150MPa)-介質(zhì)流場以及釜體損傷的聯(lián)動(dòng)監(jiān)測、耦合建模、失穩(wěn)預(yù)警，單晶缺陷密度≤50000cm-2。
研究內(nèi)容：建立氮化鎵單晶氨熱生長過程及反應(yīng)釜的多源感知方法與系統(tǒng)；研究釜內(nèi)溫-壓-介質(zhì)聯(lián)動(dòng)與耦合機(jī)制，探明極端工況對釜體損傷的量化影響；建立高品質(zhì)單晶生長過程平衡失穩(wěn)預(yù)警模型。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向2：碳化硅界面能帶調(diào)控與雙能級缺陷共軛抑制研究
研究目標(biāo)：針對碳化硅功率器件中界面雙能級缺陷引發(fā)的閾值電壓漂移、動(dòng)態(tài)電阻退化等性能和可靠性問題，開展能帶調(diào)控與碳化硅界面態(tài)密度的構(gòu)效關(guān)系研究，建立高k外誘導(dǎo)界面層的方法，實(shí)現(xiàn)碳化硅界面態(tài)密度降低1個(gè)數(shù)量級、高k柵介質(zhì)擊穿場強(qiáng)≥7MV/cm的目標(biāo)。
研究內(nèi)容：研究原位等離子體與高k介質(zhì)協(xié)同調(diào)控碳化硅能帶偏移機(jī)制，探索能帶調(diào)控驅(qū)動(dòng)的碳化硅界面缺陷抑制方法，揭示能帶偏移與氧空位結(jié)合能位移的定量關(guān)聯(lián)關(guān)系，闡明碳化硅界面缺陷和近界面氧化層缺陷共軛抑制機(jī)理。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向3：氧化鎵同質(zhì)p-n結(jié)材料準(zhǔn)粒子特性研究
研究目標(biāo)：面向電力、能源領(lǐng)域?qū)ρ趸壒β逝c光電器件的需求，開展氧化鎵同質(zhì)p-n結(jié)材料研究，實(shí)現(xiàn)室溫空穴濃度≥1016/cm3，室溫空穴遷移率≥2cm2/V·s，空穴極化子壽命≥1ns，內(nèi)建電勢≥4.2eV；自供電模式深紫外探測率≥1016Jones。
研究內(nèi)容：制備氧化鎵同質(zhì)p-n結(jié)，研究激子與空穴極化子特性及雙極輸運(yùn)機(jī)制；研究結(jié)電容耗盡與擴(kuò)散、耐壓、反向擊穿等特性；研究氧化鎵同質(zhì)p-n結(jié)自供電深紫外光電探測。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向4：金剛石表面鈍化與歐姆接觸研究
研究目標(biāo)：面向下一代電力電子對金剛石高功率器件的需求，研究金剛石器件界面物性調(diào)控、介質(zhì)沉積和歐姆接觸等關(guān)鍵內(nèi)容，實(shí)現(xiàn)器件界面態(tài)密度≤5×1012eV-1cm-2，高k氮化物柵介質(zhì)擊穿場強(qiáng)≥7MV/cm，輕摻金剛石表面歐姆接觸電阻≤5×10-4Ω·cm2。
研究內(nèi)容：揭示金剛石器件界面物性調(diào)控機(jī)制，探究界面碳簇陷阱與高化學(xué)惰性的協(xié)同影響；發(fā)展納米級高k氮化物柵介質(zhì)沉積方法；發(fā)展輕摻雜金剛石表面的低阻歐姆接觸方法，并通過原型器件驗(yàn)證。
執(zhí)行期限：2025年10月01日至2027年09月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向5：多維一體金剛石材料合成與加工方法研究
研究目標(biāo)：面向高功率半導(dǎo)體器件對散熱-電學(xué)性能及其原位檢測的綜合需求，研究散熱-導(dǎo)電-量子多維一體金剛石材料，實(shí)現(xiàn)熱導(dǎo)率≥1600W/m·K，載流子遷移率≥100cm2/V·s，退相位時(shí)間≥300ns。
研究內(nèi)容：闡明合成及關(guān)鍵加工工藝中金剛石形狀及性能的產(chǎn)生或演變機(jī)制，發(fā)展多維一體金剛石材料形性協(xié)同合成及加工方法，研究合成及關(guān)鍵加工裝備正向設(shè)計(jì)方法，優(yōu)化金剛石材料合成及加工一體化方法。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
專題三、集成電路材料
方向1：基于交替共聚物的先進(jìn)工藝圖形材料研究
研究目標(biāo)：聚焦先進(jìn)微納加工對高性能圖形材料結(jié)構(gòu)精度與相態(tài)可控性的需求，開展覆蓋材料設(shè)計(jì)、合成與微結(jié)構(gòu)構(gòu)建的多尺度研究。設(shè)計(jì)2種以上結(jié)構(gòu)精確、鏈段組成可調(diào)的交替共聚物材料，發(fā)展高效可控的合成新方法，在超過1mm2的面積上形成亞5nm周期結(jié)構(gòu)，研究其結(jié)構(gòu)的演化規(guī)律，構(gòu)建2種以上有序相結(jié)構(gòu)調(diào)控模型。
研究內(nèi)容：研究交替共聚物在不同環(huán)境條件下的圖形結(jié)構(gòu)構(gòu)建與相行為調(diào)控，研究交替共聚物在溶液、界面及固態(tài)加工過程中的自組裝行為，闡明不同鏈段比例、分子量及熱/溶劑處理等對亞5nm尺度有序結(jié)構(gòu)演化的影響機(jī)制。探索交替共聚物的可控相分離規(guī)律，揭示材料的結(jié)構(gòu)演化路徑。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向2：基于弱相互作用機(jī)制的深度純化機(jī)理研究
研究目標(biāo)：面向集成電路工藝制造對電子專用試劑的超凈高純需求，開展電子專用試劑深度純化過程中納埃組分遷移行為和純化介質(zhì)復(fù)雜作用機(jī)制研究，實(shí)現(xiàn)醇類和酯類專用試劑中單個(gè)金屬元素≤10ppt，單個(gè)陰離子≤10ppb；含水量≤50ppm，顆粒物（d≥50nm）≤10個(gè)/mL；深度純化介質(zhì)溶出物≤100 ppt。
研究內(nèi)容：探索通用型深度純化介質(zhì)制備方法，研究介質(zhì)與流體狀態(tài)下復(fù)雜組分的弱相互作用機(jī)制及溶出組分的遷移路徑；研制電子專用試劑通用型深度純化元件，探究基于多組分流體間弱相互作用機(jī)制對深度純化行為的多尺度協(xié)同調(diào)控機(jī)制。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向3：集成電路高介電常數(shù)前驅(qū)體材料研究
研究目標(biāo)：針對集成電路制造工藝對新型高介電常數(shù)柵介質(zhì)材料的需求，開展鈮前驅(qū)體合成分子結(jié)構(gòu)分析和合成反應(yīng)動(dòng)力學(xué)研究，實(shí)現(xiàn)鈮前驅(qū)體材料的金屬離子純度≥99.9999%，總純度≥99.5%，氯離子雜質(zhì)≤20ppm；開展前驅(qū)體材料穩(wěn)定性研究，實(shí)現(xiàn)10000次或以上輸送脈沖后的每脈沖平均沉積速率變化≤10%；構(gòu)建薄膜沉積仿真模型，對薄膜沉積生長速度的計(jì)算準(zhǔn)確度達(dá)到90%以上。
研究內(nèi)容：基于配位化學(xué)與反應(yīng)動(dòng)力學(xué)模型，實(shí)現(xiàn)鈮前驅(qū)體合成分子結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)調(diào)控。開發(fā)特定純化路線，研究痕量雜質(zhì)深度去除方法。基于原子層沉積方式，構(gòu)建成膜動(dòng)力學(xué)模型，系統(tǒng)研究原子層沉積工藝參數(shù)對鈮基高介電常數(shù)薄膜生長速度、微觀結(jié)構(gòu)及關(guān)鍵性能的影響規(guī)律與調(diào)控機(jī)制。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：非定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度不超過300萬元。
方向4：高密度玻璃基深溝槽電容實(shí)現(xiàn)機(jī)制研究
研究目標(biāo)：面向玻璃基先進(jìn)封裝對高密度電容集成的需求，開展玻璃基深溝槽高密度電容實(shí)現(xiàn)機(jī)制研究，實(shí)現(xiàn)≥15:1深寬比溝槽中介質(zhì)和金屬薄膜臺階覆蓋率≥90%，以及電容密度≥300nF/mm2的玻璃基金屬-介質(zhì)-金屬電容。
研究內(nèi)容：研究與玻璃通孔兼容的高k介質(zhì)與金屬材料的原子層沉積方法，解決膜層覆蓋率和界面附著力的問題，探索電容密度的提升機(jī)制，實(shí)現(xiàn)高密度金屬-介質(zhì)-金屬玻璃基深溝槽電容。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
方向5：閾值轉(zhuǎn)變開關(guān)與存儲材料研究
研究目標(biāo)：面向高帶寬、低延時(shí)新型存儲器的需求，開展兼具開關(guān)與存儲功能的硫系閾值轉(zhuǎn)變開關(guān)與存儲材料研究，闡明硫系閾值轉(zhuǎn)變開關(guān)與存儲材料的非線性開關(guān)與存儲機(jī)理；實(shí)現(xiàn)基于新型硫系化合物材料的原型器件，器件存儲延時(shí)≤20ns，高低阻比值≥1000，循環(huán)壽命≥107次；實(shí)現(xiàn)12英寸晶圓上硫系閾值轉(zhuǎn)變開關(guān)與存儲材料沉積，薄膜厚度不均勻性≤5%，組份不均勻性≤5%，顆粒缺陷（120nm）≤200。
研究內(nèi)容：研究硫系閾值轉(zhuǎn)變開關(guān)與存儲材料的閾值電壓極性效應(yīng)機(jī)理，揭示不同極性電場作用下材料微結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)演化規(guī)律。闡明硫系閾值轉(zhuǎn)變開關(guān)與存儲材料的閾值電壓漂移機(jī)理，開展硫系閾值轉(zhuǎn)變開關(guān)與存儲材料的納米尺寸微縮效應(yīng)研究，探索基于硫系閾值轉(zhuǎn)變開關(guān)與存儲材料的原型器件制備方案。
執(zhí)行期限：2025年10月1日至2027年9月30日。
經(jīng)費(fèi)額度：定額資助，擬支持不超過1個(gè)項(xiàng)目，每項(xiàng)資助額度100萬元。
二、申報(bào)要求
除滿足前述相應(yīng)條件外，還須遵循以下要求：
1.項(xiàng)目申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)是注冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項(xiàng)目實(shí)施的相應(yīng)能力。
2.對于申請人在以往市級財(cái)政資金或其他機(jī)構(gòu)（如科技部、國家自然科學(xué)基金等）資助項(xiàng)目基礎(chǔ)上提出的新項(xiàng)目，應(yīng)明確闡述二者的異同、繼承與發(fā)展關(guān)系。
3.所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守科研誠信管理要求，項(xiàng)目負(fù)責(zé)人應(yīng)承諾所提交材料真實(shí)性，申報(bào)單位應(yīng)當(dāng)對申請人的申請資格負(fù)責(zé)，并對申請材料的真實(shí)性和完整性進(jìn)行審核，不得提交有涉密內(nèi)容的項(xiàng)目申請。
4.申報(bào)項(xiàng)目若提出回避專家申請的，須在提交項(xiàng)目可行性方案的同時(shí)，上傳由申報(bào)單位出具公函提出回避專家名單與理由。
5.所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守科技倫理準(zhǔn)則。擬開展的科技活動(dòng)應(yīng)進(jìn)行科技倫理風(fēng)險(xiǎn)評估，涉及科技部《科技倫理審查辦法（試行）》（國科發(fā)監(jiān)〔2023〕167號）第二條所列范圍科技活動(dòng)的，應(yīng)按要求進(jìn)行科技倫理審查并提供相應(yīng)的科技倫理審查批準(zhǔn)材料。
6.所有申報(bào)單位和項(xiàng)目參與人應(yīng)遵守人類遺傳資源管理相關(guān)法規(guī)和病原微生物實(shí)驗(yàn)室生物安全管理相關(guān)規(guī)定。
7.已作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人承擔(dān)市科委科技計(jì)劃在研項(xiàng)目2項(xiàng)及以上者，不得作為項(xiàng)目負(fù)責(zé)人申報(bào)。
8.項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)預(yù)算編制應(yīng)當(dāng)真實(shí)、合理，符合市科委科技計(jì)劃項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)管理的有關(guān)要求。
9.各研究方向同一單位限報(bào)1項(xiàng)。
三、申報(bào)方式
1.項(xiàng)目申報(bào)采用網(wǎng)上申報(bào)方式，無需送交紙質(zhì)材料。請申請人通過“上海市科技管理信息系統(tǒng)”（svc.stcsm.sh.gov.cn）進(jìn)入“項(xiàng)目申報(bào)”，進(jìn)行網(wǎng)上填報(bào)，由申報(bào)單位對填報(bào)內(nèi)容進(jìn)行網(wǎng)上審核后提交。
【初次填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄（如尚未注冊賬號，請先轉(zhuǎn)入“一網(wǎng)通辦”注冊賬號頁面完成注冊），進(jìn)入申報(bào)指南頁面，點(diǎn)擊相應(yīng)的指南專題，進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào)；
【繼續(xù)填寫】使用“一網(wǎng)通辦”登錄后，繼續(xù)該項(xiàng)目的填報(bào)。
有關(guān)操作可參閱在線幫助。
2.項(xiàng)目網(wǎng)上填報(bào)起始時(shí)間為2025年8月13日9:00，截止時(shí)間（含申報(bào)單位網(wǎng)上審核提交）為2025年9月1日16:30。
四、評審方式
采用第一輪通訊評審、第二輪見面會評審方式。
五、實(shí)施管理要求
項(xiàng)目實(shí)施過程中將設(shè)置“里程碑”節(jié)點(diǎn)，檢查項(xiàng)目進(jìn)展，明確繼續(xù)或終止實(shí)施。
六、咨詢電話
服務(wù)熱線：8008205114（座機(jī)）、4008205114（手機(jī)）
上海市科學(xué)技術(shù)委員會
2025年8月5日
【原文下載】上海市科學(xué)技術(shù)委員會關(guān)于發(fā)布2025年度基礎(chǔ)研究計(jì)劃“集成電路”（第二批）項(xiàng)目申報(bào)指南的通知.pdf
本文鏈接：每項(xiàng)資助額度最高300萬，上海發(fā)布一批項(xiàng)目申報(bào)指南http://www.sq15.cn/show-11-24380-0.html
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