記者3月20日從浙江大學獲悉，該校光電科學與工程學院/海寧國際聯(lián)合學院狄大衛(wèi)教授和趙保丹研究員團隊，成功研發(fā)出微米和納米鈣鈦礦LED，其降尺寸過程僅造成微弱的性能損耗。其中，最小尺寸僅為90納米的納米鈣鈦礦LED，為迄今為止公開報道的最小LED像素。相關(guān)研究論文發(fā)表在國際期刊《自然》上。
“降尺度”在電子科學中特指縮小基本器件尺寸的過程。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，器件微型化成為科學家的追求目標。狄大衛(wèi)介紹，目前世界最先進的顯示技術(shù)是基于Ⅲ-Ⅴ族半導體的微型發(fā)光二極管，可實現(xiàn)超高清、超高精度的光電顯示。但受限于復(fù)雜的工藝技術(shù)，微型發(fā)光二極管制造成本極高，當像素尺寸減小到約10微米或更小時，效率會急劇下降。
從Ⅲ-Ⅴ族半導體的微型發(fā)光二極管的微型化研究中獲得啟發(fā)，狄大衛(wèi)團隊開始研制用于未來顯示技術(shù)的更小的鈣鈦礦LED，于2021年首次提出“微型鈣鈦礦LED”概念，并獲得國家與國際專利。用傳統(tǒng)光刻工藝制造微型鈣鈦礦LED會破壞鈣鈦礦材料。
為此，研究團隊設(shè)計出一套局域接觸工藝，通過光刻制作的圖案化窗口確保像素區(qū)域遠離電極邊緣，能夠制造像素尺寸從數(shù)百微米到90納米的鈣鈦礦LED，同時保證了LED的發(fā)光效率。
據(jù)了解，研究團隊開發(fā)的微米和納米鈣鈦礦LED在尺寸減小至約180納米時才開始顯現(xiàn)降尺寸效應(yīng)，效率降低至最高值的50%。狄大衛(wèi)表示，團隊已與杭州領(lǐng)摯科技合作，制作了由TFT背板驅(qū)動的有源矩陣微米LED微顯示器原型，能夠呈現(xiàn)復(fù)雜圖像和視頻。據(jù)悉，微米和納米鈣鈦礦LED在AR/VR顯示等領(lǐng)域具有巨大應(yīng)用潛力。
記者3月20日從浙江大學獲悉，該校光電科學與工程學院/海寧國際聯(lián)合學院狄大衛(wèi)教授和趙保丹研究員團隊，成功研發(fā)出微米和納米鈣鈦礦LED，其降尺寸過程僅造成微弱的性能損耗。其中，最小尺寸僅為90納米的納米鈣鈦礦LED，為迄今為止公開報道的最小LED像素。相關(guān)研究論文發(fā)表在國際期刊《自然》上。
“降尺度”在電子科學中特指縮小基本器件尺寸的過程。隨著信息技術(shù)的發(fā)展，器件微型化成為科學家的追求目標。狄大衛(wèi)介紹，目前世界最先進的顯示技術(shù)是基于Ⅲ-Ⅴ族半導體的微型發(fā)光二極管，可實現(xiàn)超高清、超高精度的光電顯示。但受限于復(fù)雜的工藝技術(shù)，微型發(fā)光二極管制造成本極高，當像素尺寸減小到約10微米或更小時，效率會急劇下降。
從Ⅲ-Ⅴ族半導體的微型發(fā)光二極管的微型化研究中獲得啟發(fā)，狄大衛(wèi)團隊開始研制用于未來顯示技術(shù)的更小的鈣鈦礦LED，于2021年首次提出“微型鈣鈦礦LED”概念，并獲得國家與國際專利。用傳統(tǒng)光刻工藝制造微型鈣鈦礦LED會破壞鈣鈦礦材料。
為此，研究團隊設(shè)計出一套局域接觸工藝，通過光刻制作的圖案化窗口確保像素區(qū)域遠離電極邊緣，能夠制造像素尺寸從數(shù)百微米到90納米的鈣鈦礦LED，同時保證了LED的發(fā)光效率。
據(jù)了解，研究團隊開發(fā)的微米和納米鈣鈦礦LED在尺寸減小至約180納米時才開始顯現(xiàn)降尺寸效應(yīng)，效率降低至最高值的50%。狄大衛(wèi)表示，團隊已與杭州領(lǐng)摯科技合作，制作了由TFT背板驅(qū)動的有源矩陣微米LED微顯示器原型，能夠呈現(xiàn)復(fù)雜圖像和視頻。據(jù)悉，微米和納米鈣鈦礦LED在AR/VR顯示等領(lǐng)域具有巨大應(yīng)用潛力。
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