據彭博社、華爾街日報等外媒報道，當地時間12月1日，美國商務部宣布，已同意向芯片初創公司xLight注資1.5億美元。若交易成行，美國政府有可能成為xLight的最大股東。
美國商務部12月1日發布的一份新聞稿顯示，隸屬于美國國家標準與技術研究院（NIST）的商務部“芯片研發辦公室”已簽署了一份非約束性意向書，將向xLight公司提供至多1.5億美元的資金，但未透露具體的持股比例。
這一次特朗普政府撥給xLight公司的資金，來自于美國前任總統拜登出臺的《芯片法案》（Chips and Science Act），該法案旨在扶持擁有廣闊技術前景的初創公司。這也是特朗普第二任期開始以來首個《芯片法案》獎勵。但這筆激勵目前處于初步階段，尚未最終敲定。
針對這筆投資，美商務部長盧特尼克在一份聲明中表示：“長期以來，美國將先進光刻技術的前沿陣地拱手讓人。在特朗普總統的領導下，這種日子結束了……這項合作將支持一項能夠從根本上改寫芯片制造極限的技術。”
據《華爾街日報》介紹，xLight是一家半導體技術初創公司，正致力于攻克芯片制造領域最核心的瓶頸——光刻機光源技術，試圖改進極紫外（EUV）光刻工藝。
目前，公司由原英特爾CEO帕特·基辛格擔任執行董事長。去年年底，在英特爾遭遇財務業績疲軟和制造擴張停滯后，基辛格被董事會解雇，他于今年3月加盟了xLight。因此，該項目也被認為代表著基辛格的“東山再起”。
眾所周知，在先進芯片制造領域，最關鍵的設備是將芯片圖案打印到硅晶圓上的極紫外（EUV）光刻機，而荷蘭公司阿斯麥（ASML）目前是EUV光刻機的全球唯一生產商，每臺光刻機的成本高達數億美元。
阿斯麥公司的EUV光刻機 圖片轉自路透社
而在光刻機內部，制造難度最大的部件是激光器。xLight正在開發基于自由電子激光（Free-Electron Lasers） 的大型“自由電子激光器”，以創造出更強大、更精確的光源，以取代目前在EUV光刻機中使用的激光器。
阿斯麥目前使用的最先進激光器產生的極紫外光波長約為13.5納米。而xLight瞄準了更精確的波長，低至2納米。如果xLight的研發取得突破，將有助于芯片制造商在硅晶圓上刻畫出更微小的線條，或將加速半導體工藝的演進并重振“摩爾定律”。
根據摩爾定律，每塊芯片上的晶體管數量，也就是芯片的計算能力，應該每兩年增長一倍。
“我們正在喚醒摩爾定律。它一直在打盹。”基辛格表示。他還表示，這項新技術可以將晶圓加工效率提高多達30%至40%，并相信xLight的激光器比目前的光源消耗更少的能量。
“如果這家公司成功了，我們將改變半導體行業，”基辛格表示，“我們可以改善當前EUV的經濟性，并為未來的EUV賦能。”
另一方面，美國政府此次注資芯片初創公司也被認為是特朗普“美國制造”計劃的最新舉措。
自今年初上臺以來，特朗普頻頻揮舞關稅大棒，以“威逼利誘”的方式要求外國企業加大在美投資以及鼓勵美國企業回流。其目標在于將以芯片、半導體行業為首的先進制造業帶回美國本土，以解決美國制造業衰退、貿易逆差和失業率問題。
不僅如此，美國政府近幾個月已通過直接投資、貸款轉股權、認股權證等方式入股了多家戰略領域企業，覆蓋半導體、關鍵礦產、稀土、鋰資源等領域。包括英特爾（半導體領域）、Trilogy Metals（關鍵礦產領域）、美洲鋰業（鋰資源領域）、MP Materials（稀土領域）等。
而這一系列深度介入產業發展的舉措業已引發爭議。一些分析師批評稱，這種做法是“國家資本主義”，并指責政府官員試圖在市場上“挑選贏家和輸家”。
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