近日，中國科學院微電子研究所研究人員基于自主研發的垂直溝道技術，研發出優于互補場效晶體管架構（CFET）的單片集成互補垂直溝道晶體管結構（CVFET）。
該架構制造工藝采用與CMOS制造工藝兼容的雙側面技術，通過兩步外延工藝分別控制納米片溝道厚度和柵極長度，實現n型和p型納米片晶體管的上下堆疊和自對準一體集成。CVFET具有如下電學特性：上下層器件亞閾值擺幅分別為69?mV/dec和72?mV/dec，漏致勢壘降低分別為12?mV/V和18?mV/V，電流開關比分別為3.1×106和5.4×106。CVFET的CMOS反相器可實現正常的信號相位反轉功能，在1.2?V電源電壓下，反相器增益為13?V/V；在0.8?V工作電壓下，高電平噪聲容限和低電平噪聲容限分別為0.343?V和0.245?V。
相關研究成果發表在IEEE Electron Device Letters上。研究工作得到國家自然科學基金和中國科學院戰略性先導專項（A類）等的支持。
論文鏈接
(a) 單片集成CVFET器件架構圖；?(b)單片集成CVFET器件的TEM截面圖和（c-f）EDX元素分布圖
本文鏈接：科研人員研發出互補單晶硅垂直溝道晶體管架構http://www.sq15.cn/show-12-1746-0.html
聲明：本網站為非營利性網站，本網頁內容由互聯網博主自發貢獻，不代表本站觀點，本站不承擔任何法律責任。天上不會到餡餅，請大家謹防詐騙！若有侵權等問題請及時與本網聯系，我們將在第一時間刪除處理。